- 土地面积：500 亩
- 土地价格：124.69 万元/亩
- 使用年限：50年
- 合作方式： 土地转让
- 所在地区：江西-赣州
- 项目类型：新城新区
- 更新时间：2017-04-21
- 用地性质： 其它
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项目简介
五、主要建设规模及内容 规划用地500亩，新建生产车间68750平方米、包装车间20000平方米、原料库15000平方米、预处理车间10000平方米、办公楼6000平方米以及相配套的配电和锅炉房等辅助生产用房和餐厅等生活辅助用房；购置整套生产工艺设备以及与之相配套的电气（力）设备、电器管线、检验设备、装卸等设备。 六、生产方法及工艺 1、LED外延片生产工艺 LED外延片生产过程中包括以下主要工序：衬底—结构设计—缓冲层生长—N型GaN层生长—多量子阱发光层生— P型GaN层生长—退火—检测（光荧光、X射线） —外延片。LED外延片生长采用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）工艺，采用GaAs低阻衬底，以三甲基铟、三甲基镓、三甲基铝、砷烷和磷烷为材料，采用二茂镁（P型）、硅烷（N型）作为掺杂源。 2、LED芯片生产工艺 LED芯片生产过程中包括以下主要工序：外延片—清洗—镀透明电极层—透明电极图形光刻—腐蚀—去胶—平台图形光刻—干法刻蚀—去胶—退火—SiO2沉积—窗口图形光刻—SiO2腐蚀—去胶—N极图形光刻—预清洗—镀膜—剥离—退火—P极图形光刻—镀膜—剥离—研磨—切割—芯片—成品测试。 3工艺流程 （1）、LED外延片生产工艺流程如图6-1所示 （2）、LED芯片生产工艺流程如图6-2所示。 图6-1 LED外延片生产工艺流程 图6-2 LED芯片生产工艺流程 七、项目投资估算 项目总投资为62343万元，其中：固定资产投资52343万元，流动资金10000万元。
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